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惊爆!台积电杀进3奈米 决战死敌

10-28 金融知识

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台积电在7奈米、5奈米制程完封三星后,如今更加快3奈米研发,以一连领先地位,不让对手三星有先缝插针抢单的机遇,据电子时报报导,台积电3奈米传出提早启动,位于南科30公顷用地,可望提早4个月、预计于今岁尾即可完成交地,摆明就是冲着三星而来。

报导指出,相较于三星堕入7奈米EUV制程良率困境,台积电7奈米以下制程连续推进,几乎吃下统统晶片大厂订单,而5奈米预计明年第2季量产,如今传出苹果、华为和高通将抢下首波产能。

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三星7月底曾宣布将在3奈米制程推出全新「缭绕闸极」(Gate-All-Around,GAA)技术,号称超前台积电1年,更赢过英特尔2~3年。

三星推出全新GAA技术的3奈米制程跟当前7奈米相较,可以使耗能下落50%,晶片面积缩减45%,效能提高35%,预计2021年正式量产;而台积电也连续加快3奈米技术研发,预计2021年举办试产、2022年量产,至于3奈米技术细节并未流露。

 
原文连接:https://www.chinatimes.com/realtimenews/20191027000012-260410
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